Si4435BDY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4435BDY (SILICONIX.)	36	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики Si4435BDY

Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4435BDY (MOSFET)

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si4435BDY datasheet
91.2 Кб