Версия для печати
Технические характеристики IRLML6302TR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	780mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 610mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.6nC @ 4.45V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	97pF @ 15V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

Транзистор полевой P - канальный для SMD монтажа , 20В, 780мА, 540мВт IRLML6302TR datasheet 246,26kB 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		1 104	5.55
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	2 048	1.40
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	39 846	1.42
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	17 863	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 780	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.34  >100 шт.   0.67
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	207	4.30
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	1 936	2.26
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ	3	2.42
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGZHOU YANGJIE
		FDD03-12D4		DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9...36В, выход 5В/+250мА, изоляция 1500В DC, ...	CHINFA
		FDD03-12D4		DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9...36В, выход 5В/+250мА, изоляция 1500В DC, ...			1 200.00
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	24.57
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)		240	2.28
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INTERNATIONAL RECTIFIER	28
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	МЕКСИКА
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	INFINEON
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	HOTTECH	390 134	3.10
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	KLS
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	YOUTAI
		IRLML2402		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)	KEEN SIDE	35 452	2.23
		LM2903P			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2903P			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2903P				12	113.40
		LM2903P			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2903P			TEXAS INSTRUMEN
		LM2903P			TEXAS
		LM2903P			4-7 НЕДЕЛЬ	278
		TLP521-2GB[F]		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOSHIBA
		TLP521-2GB[F]		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%			58.80
		TLP521-2GB[F]		Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%	TOS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"