|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 38A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 74A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
2SK241 |
|
Транзистор полевой Nканальный, 30В, 0,03А, 0, 2Вт, 10 мА/В | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK241 |
|
Транзистор полевой Nканальный, 30В, 0,03А, 0, 2Вт, 10 мА/В | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SK241 |
|
Транзистор полевой Nканальный, 30В, 0,03А, 0, 2Вт, 10 мА/В |
|
11.80 | ||
|
|
|
2SK241 |
|
Транзистор полевой Nканальный, 30В, 0,03А, 0, 2Вт, 10 мА/В | NO TRADEMARK |
|
|
|
| AM26LV31EIPWR |
|
|
||||||
| AM26LV31EIPWR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| AM26LV31EIPWR | TEXAS |
|
|
|||||
| AM26LV31EIPWR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 659 |
|
|||||
|
|
CRHV1206AF51M0FKE5 |
|
Vishay/Dale |
|
|
|||
|
|
CRHV1206AF51M0FKE5 |
|
|
|
||||
|
|
|
ISL55111IVZ |
|
Intersil |
|
|
||
|
|
|
ISL55111IVZ |
|
|
|
|||
|
|
|
ISL55111IVZ |
|
RENESAS |
|
|
||
|
|
|
ISL55111IVZ |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 153 |
|
||
| К52-1-22МКФ 35В (10%) |
|
|