630В-0.01 МКФ 10%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В | MASTER CHIP |
|
|
||
|
|
0805 1КОМ 5% |
|
Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В |
|
|
|||
 |
 |
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 1 857 | 18.90 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
|
 |
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | 53 794 | 7.56 | ||
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТОМСК |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | НИИПП ТОМСК | 168 | 8.27 | |
|
|
|
КТ361Б |
|
Транзистор структуры PNP усилительный | 465 | 80 | 1.04 | |
| МЛТ-1-22 КОМ 5% |
|
|
