IRF9310TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9310TR (YOUTAI)	9 020	23.21

Версия для печати

Технические характеристики IRF9310TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5250pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.