Версия для печати
Технические характеристики IRF9310

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5250pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	ATMEL
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC		398	97.31
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	ATMEL CORPORATION
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	MICRO CHIP	3 888	113.65
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	1
		ATTINY13A-SSU		Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC	4-7 НЕДЕЛЬ	510
		GRM21BR71H104MA01L		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В	MUR
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	12.83
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...			20.24
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INFINEON
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	HOTTECH
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	KLS
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	TRR
		SB016M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 16 В	YAGEO
		SB016M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SB016M0047BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 532	31.73
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"