|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | MOTOROLA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | SAMSUNG |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | SPRAGUE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | CDIL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | DC COMPONENTS | 676 | 3.84 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | DIOTEC | 11 712 | 3.98 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | MOTOROLA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | SAMSUNG |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | ON Semiconductor |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | ONS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | КИТАЙ | 952 | 3.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | INCHANGE SEMIC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | МИНСК | 2 052 | 4.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... |  | 3 040 | 1.96 >100 шт.   0.98
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | INCHANGE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | ON SEMI/FAIRCH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | ONSEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | MULTICOMP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | HOTTECH | 69 209 | 0.65 >1000 шт.   0.13
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | LGE |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | CHINA | 22 400 | 1.02 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | ZH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | OLITECH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | CJ | 4 604 | 2.14 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | 1 |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | KEEN SIDE | 80 | 1.40 >100 шт.   0.70
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5401 |   | Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ... | MERRYELC | 2 000 | 1.88 >100 шт.   0.94
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | FAI/QTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | FAIR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR | 800 | 11.34 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | MOTOROLA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | PHILIPS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | TOSHIBA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | DC COMPONENTS | 2 478 | 3.48 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | FSC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | UTC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | DIOTEC | 2 718 | 4.13 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | МИНСК |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | FAIRCHILD |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | MOTOROLA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | OTHER |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | NS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | KEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) |  | 27 040 | 1.06 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | TOSHIBA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | --- |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | NO TRADEMARK |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | MULTICOMP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | HOTTECH | 368 | 1.75 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | CHINA | 9 576 | 1.20 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | ZH |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | ASEMI | 4 386 | 1.58 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | KEEN SIDE | 5 160 | 1.66 >100 шт.   0.83
 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | 2N5551 |   | Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C) | MERRYELC | 2 096 | 1.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MF-0.5-1.0M 1% |   | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MF-0.5-1.0M 1% |   | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |  |   | 2.84 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MF-0.5-82K 5% |   | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MF-0.5-82K 5% |   | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |  | 204 | 2.84 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | NEC |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXAS INSTRUMENTS | 18 966 | 16.53 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... |  | 5 731 | 9.97 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXAS INSTRUMENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXAS INSTR |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXAS INSTRUMEN |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | TEXASINSTRUMENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | NE555P |   | Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 755 |   |  |