TZY2Z100A3.0/10.0ПФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	96 918	2.11
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	674 740	1.04
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA	11 612	9.87
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	51 506	6.15
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
LQH32CN100K33L		MURATA	6 180	9.87
LQH32CN100K33L
LQH32CN100K33L		MUR	16 814	5.97
LQH32CN100K33L		MURATA	1 391
LQH32CN1R0M33L		MURATA	2 365	10.67
LQH32CN1R0M33L		MURATA
LQH32CN1R0M33L		MUR	10 599	4.45
LQH32CN1R0M33L
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	CHINA
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	MURATA	6 664	11.11
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%		16	57.88
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	Murata Electronics North America
LQH32CN470K23L	Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%	MUR	23 928	6.85