| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
HC-49U 20 MHZ |
|
|
KDS
|
|
|
|
|
|
|
HC-49U 20 MHZ |
|
|
|
|
17.28
|
|
 |
 |
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KINGBRIGHT
|
224
|
4.43
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
|
|
9.52
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KGB
|
7 648
|
11.35
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
ST MICROELECTRONICS
|
4 112
|
18.60
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
|
12 024
|
18.61
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
L7805ABD2T-TR |
|
Линейный регулятор напряжения положительной полярности 5.0V, 1.0A.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
129
|
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
|
172
|
231.25
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F630-I/P |
|
1Kx14 Flash 12I/O, 20MHz, 8bit, 64b, 2-5.5В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
438
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1 642
|
12.88
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 332
|
13.02
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
6666
|
|
|
|
Версия для печати
