МП1105 ПОД ВИНТ (ШАРИК)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
АЛ107Б	Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...		4 927	3.70
АЛ107Б	Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...	ТОМСК
АЛ107Б	Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...	СТАРТ
АЛ107Б	Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...	НИИПП ТОМСК	40	96.00
АЛ107Б	Диод излучающий, арсенидогаллиевый, мезаэпитаксиальный для работы в качестве ...	РОССИЯ	126	3.63
КМ1-1 (АНАЛОГ)
КМ1-1 (АНАЛОГ)
КТ 605 АМ		RUS
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный		1 199	10.12
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	944	10.58
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	БРЯНСК	3 436	11.97
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	МИНСК
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	НАЛЬЧИК
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	RUS
КТ3102ЕМ	Транзистор структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	44	10.89
ФД265А				67.40