|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
34.02
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
8
|
75.60
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
1
|
|
|
|
|
|
TL082CN |
|
Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
480
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 303
|
32.23
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
|
|
42.28
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
UC3843BN |
|
ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
45
|
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
МИКРО-М
|
548
|
130.20
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
СВЕТЛАНА
|
484
|
206.64
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
|
143
|
110.40
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
КР590КН6 |
|
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
10 386
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
25 241
|
46.20
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 760
|
113.65
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М |
|
|
|
|
30.76
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|