IRF740AS
N-канальный 400В 10А
|
|
Версия для печати
| Корпус | D2PAK |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 3.1W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF740AS (Дискретные сигналы) 400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF740ASTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CI160808-1N8D | BOURNS | 20 | 16.41 | |||||
| CI160808-1N8D |
|
|
||||||
| LQG18HN22NJ00D | MUR | 27 347 | 3.12 | |||||
| LQG18HN22NJ00D | 80 |
|
||||||
| LQG18HN22NJ00D | MURATA |
|
|
|||||
| LQW18AN27NG00D | MURATA | 3 400 | 12.21 | |||||
| LQW18AN27NG00D | MUR | 93 667 | 1.85 | |||||
| LQW18AN27NG00D |
|
|
||||||
| LQW18AN27NG00D | MURATA |
|
|
|||||
 |
 |
LQW18AN2N2D00D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQW18AN2N2D00D |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
LQW18AN2N2D00D |
|
|
|
|||
|
|
|
LQW18AN2N2D00D |
|
MURATA | 5 633 | 7.62 | ||
| LQW18AN6N2C00D | MURATA | 2 000 | 8.64 | |||||
| LQW18AN6N2C00D | MUR | 2 964 | 3.15 | |||||
| LQW18AN6N2C00D |
|
|
