|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A, 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV55-B3V6.115 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V6.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B3V9 | VISHAY |
|
|
|||||
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRFI1010NPBF |
|
Транзистор N-Канальный 55V 49A 58W 0,012R |
|
|
|||
| KP3216SGD | KINGBRIGHT |
|
|
|||||
| KP3216SGD | KINGBRIGHT |
|
|
|||||
| SI4500BDY-T1-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| SI4500BDY-T1-E3 |
|
|
||||||
| SI4500BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SI4500BDY-T1-E3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SI4500BDY-T1-E3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 308 |
|