PBSS5220V
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 390mV @ 200mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 155 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 900mW |
| Frequency - Transition | 185MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-666 |
| Корпус | SOT-666 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PBSS5220V (Универсальные биполярные транзисторы) 20 V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Производитель:
|
