Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48V

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	72A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1985pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFZ48V (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFZ48V datasheet 188.2 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный			112.00
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	КИТАЙ
		IRFZ44V		Силовой MOSFET транзистор N- канальный	INFINEON
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	267	98.28
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...			102.80
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...	МЕКСИКА
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...	INFINEON
		IRFZ48N		N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...	EVVO	2 512	17.79
		KIA7217AP		Усилитель низкой частоты 5.8W (13V/4 Ом), 18V,4.5A	KEC
		KIA7217AP		Усилитель низкой частоты 5.8W (13V/4 Ом), 18V,4.5A			189.16
		KIA7217AP		Усилитель низкой частоты 5.8W (13V/4 Ом), 18V,4.5A	4-7 НЕДЕЛЬ	629
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	MICRO CHIP
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8			540.00
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	MICRO CHIP
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	Microchip Technology
		MCP3202-CI/SN		Микросхема 2х преоб. А/Ц 12 бит. SPI. SOIC8	4-7 НЕДЕЛЬ	104
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс		344	36.80
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ТАШКЕНТ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ФОТОН	295	210.00
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	RUS
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	СЗТП
		КД213А		Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"