IRF830A


Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт

IRF830A цена 50.64 руб.  (без НДС 20%)
IRF830A N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
IRF830APBF (VISHAY) 288 70.26 
IRF830APBF 672 26.56 

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока    5А
Максимальное напряжение сток-исток    500В
Сопротивление сток-исток (откр.)          <1.5 Ом
Максимальная мощность рассеивания         74Вт
Диапазон рабочих температур     - 55 ...+150oC

Технические характеристики IRF830A

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds620pF @ 25V
Power - Max74W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru