1206-100J-0.25

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-3КJ		BOURNS
2010-100КJ		FAITHFUL LINK
2512-100КJ		FAITHFUL LINK
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W		4 671	23.51
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	INTERNATIONAL RECTIFIER	189
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	ФИЛИППИНЫ
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	INFINEON
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	1
IRF7413	Транзистор полевой SMD N-MOS 30V, 13A, 2.5W	EVVO	28 096	12.46
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST MICROELECTRONICS	156	169.12
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	STMicroelectronics
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST1
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	ST MICROELECTRO
L6386ED	Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...	4-7 НЕДЕЛЬ	417