STP11NM60ND
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | FDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 850pF @ 50V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECR25В-1000МКФ10X21 | HITANO |
|
|
|||||
| ECR25В-100МКФ6X11 | HITANO |
|
|
|||||
| FA3641N | FUJI ELECTRIC |
|
|
|||||
| FA3641N | FUJI |
|
|
|||||
| FA3641N |
|
|
||||||
| FA3641N | СИНГАПУР |
|
|
|||||
| FUSE 3.15A 250V 5X20 |
|
|
||||||
| L6562DTR | ST MICROELECTRONICS | 10 105 | 28.52 | |||||
| L6562DTR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L6562DTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6562DTR | 1 320 | 29.33 | ||||||
| L6562DTR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| L6562DTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 496 |
|
