STI18NM60N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STI18NM60N (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	362	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STI18NM60N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	285 mOhm @ 6.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1000pF @ 50V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	I2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.