SPD30N03S2L-10 G


Купить SPD30N03S2L-10 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SPD30N03S2L-10 G
Версия для печати

Технические характеристики SPD30N03S2L-10 G

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10 mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs41.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1550pF @ 25V
Power - Max100W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход