SPB18P06P G
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | SIPMOS® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Power - Max | 81.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
