SPB08P06P G

Версия для печати

Технические характеристики SPB08P06P G

Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 6.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	420pF @ 25V
Power - Max	42W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	PG-TO263-2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.