SiR892DP
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2645pF @ 10V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
