Версия для печати
Технические характеристики SIA433EDJ
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.6A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 8V |
| Power - Max | 19W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SC-70-6 |
| Корпус | PowerPAK® SC-70-6 Single |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
