Версия для печати
Технические характеристики Si8465DB
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Power - Max | 780mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Корпус | 4-Microfoot |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
