Si5853DDC
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | LITTLE FOOT® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 1206-8 ChipFET™ |
| Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
