Si4477DY
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 26.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4600pF @ 10V |
| Power - Max | 6.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
