PH5525L
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 81.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2150pF @ 12V |
| Power - Max | 62.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-100, SOT-669 |
| Корпус | LFPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
