NTR1P02LT3G


Купить NTR1P02LT3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTR1P02LT3G
Версия для печати

Технические характеристики NTR1P02LT3G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 750mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds225pF @ 5V
Power - Max400mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationWire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход