NTLJS1102PTAG
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1585pF @ 4V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус | 6-WDFN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
