NTD18N06LG


Купить NTD18N06LG ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTD18N06LG
Версия для печати

Технические характеристики NTD18N06LG

Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 9A, 5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds675pF @ 25V
Power - Max2.1W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход