NTB90N02T4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTB90N02T4G (ON SEMICONDUCTOR.)	303	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTB90N02T4G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	90A
Drain to Source Voltage (Vdss)	24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 90A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2120pF @ 20V
Power - Max	85W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.