MMBF170LT3G


Купить MMBF170LT3G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MMBF170LT3G
Версия для печати

Технические характеристики MMBF170LT3G

Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C500mA
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
Power - Max225mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
Product Change NotificationWire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход