IRF7769L2


Купить IRF7769L2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF7769L2
Версия для печати

Технические характеристики IRF7769L2

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C375A
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5 mOhm @ 74A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds11560pF @ 25V
Power - Max3.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DirectFET™ Isometric L8
КорпусDIRECTFET L8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход