IPW60R099CP
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | CoolMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 100V |
| Power - Max | 255W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD10120A | CREE |
|
|
|||||
| CSD10120A | CREE PWR |
|
|
|||||
| CSD10120A |
|
2 960.00 | ||||||
 |
CSD20060D | CREE |
|
|
||||
|
|
CSD20060D |
|
3 992.00 | |||||
|
|
CSD20060D | Cree Inc |
|
|
||||
|
|
IRG4BC40S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4BC40S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
224.56 | |||
|
|
IRG4BC40S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRG4BC40S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | 1 |
|
|
||
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц |
|
1 133.24 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY |
|
|
|
 |
|
IXFK52N60Q2 |
|
Hiperfet power mosfets q2-class | IXYS |
|
|
