IPS110N12N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 75A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4310pF @ 60V |
| Power - Max | 136W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус | PG-TO251-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
