IPP050N06N G


Купить IPP050N06N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP050N06N G
Версия для печати

Технические характеристики IPP050N06N G

Rds On (Max) @ Id, Vgs5 mOhm @ 100A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs167nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds6100pF @ 30V
Power - Max300W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход