IPP048N12N3 G


Купить IPP048N12N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPP048N12N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPP048N12N3 G

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8 mOhm @ 100A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C100A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs182nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds12000pF @ 60V
Power - Max300W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход