IPI086N10N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | PG-TO262-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
