IPF09N03LA G


Купить IPF09N03LA G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPF09N03LA G
Версия для печати

Технические характеристики IPF09N03LA G

Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6 mOhm @ 30A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C50A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1642pF @ 15V
Power - Max63W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусP-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход