IPD78CN10N G


Купить IPD78CN10N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD78CN10N G
Версия для печати

Технические характеристики IPD78CN10N G

Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs78 mOhm @ 13A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C13A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds716pF @ 50V
Power - Max31W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход