IPD25CNE8N G


Купить IPD25CNE8N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD25CNE8N G
Версия для печати

Технические характеристики IPD25CNE8N G

Drain to Source Voltage (Vdss)85V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 35A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2070pF @ 40V
Power - Max71W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход