IPD20N03L G


Купить IPD20N03L G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPD20N03L G
Версия для печати

Технические характеристики IPD20N03L G

Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 15A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C30A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs19nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds695pF @ 25V
Power - Max42W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусPG-TO252-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход