IPD088N06N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 30V |
| Power - Max | 71W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
