IPB60R385CP

Версия для печати

Технические характеристики IPB60R385CP

Rds On (Max) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 5.2A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 340µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	790pF @ 100V
Power - Max	83W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	PG-TO263-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.