IPB26CN10N G


Купить IPB26CN10N G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB26CN10N G
Версия для печати

Технические характеристики IPB26CN10N G

Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 35A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C35A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2070pF @ 50V
Power - Max71W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход