IPB107N20N3 G


Купить IPB107N20N3 G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB107N20N3 G
Версия для печати

Технические характеристики IPB107N20N3 G

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.7 mOhm @ 88A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C88A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds7100pF @ 100V
Power - Max300W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусPG-TO263-2
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход