IPB083N10N3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 73A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
G2R1E24DC |
|
Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ... | OMRON |
|
|
|
|
|
|
G2R1E24DC |
|
Герметичное реле универсальное пост. тока, контакты 1С сплав серебра, для монтажа в ... |
|
|
||
| G2RL-1-E12DC | OMRON |
|
|
|||||
| G2RL-1-E12DC | OMRON ELECTRONIC COMPONENTS |
|
|
|||||
| L6392D | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L6392D | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D |
|
|
||||||
| L6392D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 292 |
|
|||||
| RC2012F683CS | SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 21 817 |
|
|||||
|
|
TPS54060DGQR |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
|
|
||||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS INSTRUMENTS | 1 538 |
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS |
|
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 220 |
|
