IPB019N06L3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 196µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 166nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 28000pF @ 30V |
| Power - Max | 250W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | PG-TO263-2 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
