IPB011N04L G


Купить IPB011N04L G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IPB011N04L G
Версия для печати

Технические характеристики IPB011N04L G

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияOptiMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1 mOhm @ 100A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C180A
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs346nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds29000pF @ 20V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-7, D²Pak (6 leads + Tab), TO-263CB
КорпусPG-TO263-7
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход